Epitaxial structures. Мethod for measuring the thickness of epitaxial silicon layers in structures of the silicon-on-sapphire type based on IR interference

Описание на русском:
Структуры эпитаксиальные. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев кремния в структурах типа кремний на сапфире на основе инфракрасной интерференции

Статус документа:

Действующий

Формат:

Электронный (PDF)

Количество страниц:

Срок поставки (английская версия):

2 рабочих дня(ей)

Срок поставки (русская версия):

1 рабочий день

Артикул (SKU):

GOST49426