ASTM F1212-89 (2002) PDF

Полное наименование и описание

Стандарт ASTM F1212-89 (2002) — Standard Test Method for Thermal Stability Testing of Gallium Arsenide Wafers. Описывает разрушающий метод испытаний термической стабильности полупроводниковых пластин из галлия-арсенида (GaAs) при высокотемпературной термообработке, используемой при активации имплантированных слоёв и прочих процессах микроэлектронного производства.

Аннотация

Метод предназначен для определения того, останется ли данная проба полуизолирующего GaAs полуизолирующей после выдержки при высоких температурах. Испытание сравнивает удельное сопротивление образца после термообработки с контрольным (не подвергнутым нагреванию) образцом и служит индикатором наличия внутренних (объёмных) примесей, способных изменить электрические свойства поверхности и привести к отказу приборов. Стандарт является разрушающим и ориентирован на исследовательский, технологический и производственный контроль качества пластин GaAs.

Общая информация

• Статус: Отозван (Historical / Withdrawn).
• Дата публикации: Первоначальное утверждение — 23 февраля 1989 (эффективно 24 февраля 1989); переутвержден/включал редакционные изменения в 1996; переиздание/маркировка 2002; отозван в 2008 (отмена опубликована в 2008 году).
• Организация-издатель: ASTM International (Комитет F01 — Electronics, подкомитет F01.15 — Compound Semiconductors / Gallium Arsenide).
• ICS / категории: 31.080 — Semiconductor devices (полупроводниковые приборы / электроника).
• Редакция / версия: Обозначение F1212-89 (включая переутверждение 1996 с редакционными изменениями и отметку 2002 в перечне); окончательная запись стандартного файла датирована 2002-ой версией, затем отозвано в 2008.
• Количество страниц: Около 4 страниц (краткий тестовый метод).

Область применения

Стандарт применим для оценки термической стойкости полуизолирующих пластин GaAs в условиях, имитирующих высокотемпературные процессы активации имплантированных слоёв и другие термообработки в производстве микроэлектроники. Метод ориентирован прежде всего на непокрытые (uncapped) и неимплантированные образцы, но может быть адаптирован для сопоставительных испытаний с покрытыми или имплантированными образцами при контролируемых условиях. Метод не чувствителен к поверхностным примесям и служит для выявления объёмных примесей, влияющих на электрические свойства устройств.

Ключевые темы и требования

• Цель теста — сравнение удельного сопротивления образца до и после заданной термообработки (оценка «термической стабильности»).
• Метод является разрушающим: после испытания измеряются изменения удельного сопротивления (в единицах В·см или «ом/квадрат»).
• Описаны требования к печи/трубке, держателю образцов, атмосфере процесса (включая восстановительную атмосферу или инертные газы) и требованиям к вентиляции и безопасности при работе с парами арсенида.
• Приведены рекомендации по образцам-эталонам (контрольные образцы) и к способам подготовки и укладки образцов в держателе.
• Перечислены возможные помехи и ограничения метода (чувствительность преимущественно к объёмным примесям, влияние покрытия/имплантации и т.д.).

Применение и пользователи

Типичные пользователи стандарта — технологи и инженеры по процессам в производстве полупроводников, лаборатории контроля качества, исследовательские группы в области compound semiconductors, производители пластин GaAs и поставщики услуг термообработки. Метод используется для квалификации партий пластин, для разработки процессов активации и для выявления проблем, связанных с объёмными примесями, которые могут привести к неисправностям приборов.

Связанные стандарты

В стандарте упоминаются и используются ссылки на другие ASTM-методы, в частности F76 (Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single‑Crystal Semiconductors), а также другие документы, относящиеся к измерению удельного сопротивления и методикам подготовки проб. Стандарт находится в области ответственности Комитета F01 (Electronics) и подкомитета по GaAs.

Ключевые слова

GaAs, галлий-арсенид, термическая стабильность, annealing, термообработка, полуизолирующие пластины, удельное сопротивление, разрушительный метод, измерение резистивности, ASTM F1212.

FAQ

В: Что это за стандарт?

О: Это метод испытаний ASTM F1212, предназначенный для оценки термической стабильности полуизолирующих пластин галлия-арсенида (GaAs) путём сравнения удельного сопротивления до и после высокотемпературной обработки.

В: Что он регулирует?

О: Он регламентирует процедуру и условия проведения разрушающего теста термической выдержки (anneal), требования к аппаратуре (печи, трубки, держатели), атмосферу обработки, измерения удельного сопротивления и порядок сравнения с контрольным образцом, а также обсуждает интерференции и ограничения метода.

В: Кто обычно использует?

О: Производители и переработчики пластин GaAs, лаборатории контроля качества и исследовательские группы в полупроводниковой отрасли — все, кто нуждается в оценке устойчивости материала к термообработке, применяемой при технологических процессах.

В: Он актуален или заменён?

О: Стандарт помечен как отозванный (Withdrawn) в 2008 году и в настоящий момент считается историческим; прямой формальной замены в реестре ASTM не указано, поэтому для практического применения следует сверяться с текущими документами ASTM и с профильными методиками отрасли.

В: Это часть серии?

О: Да, стандарт находится в рамках работ Комитета F01 (Electronics) и взаимосвязан с другими методами измерения удельного сопротивления и параметров ГаАс‑пластин (например, F76). Он адресован тематике compound semiconductors и входит в набор методов, применяемых при оценке материалов для микроэлектроники.

В: Какие ключевые слова?

О: GaAs; термическая стабильность; annealing; удельное сопротивление; полуизолирующие пластины; разрушающий тест; F1212; ASTM; контроль качества пластин.