IEC PAS 62162-2000 PDF

Ст IEC PAS 62162-2000

Название на английском:
St IEC PAS 62162-2000

Название на русском:
Ст IEC PAS 62162-2000

Описание на русском:

Оригинальный стандарт IEC PAS 62162-2000 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Описание на английском:
Original standard IEC PAS 62162-2000 in PDF full version. Additional info + preview on request
Статус документа:
Действующий

Формат:
Электронный (PDF)

Срок поставки (английская версия):
1 рабочий день

Срок поставки (русская версия):
365 рабочих дня(ей)

Артикул (SKU):
stiec08307

Выберите версию документа:
4 200 руб.

Полное наименование и описание

IEC PAS 62162:2000 — Field-induced charged-device model test method for electrostatic discharge withstand thresholds of microelectronic components. Описывает единый метод определения порогов стойкости микросхем и других микроэлектронных компонентов к электростатическому разряду по полевой (field‑induced) модели заряженного устройства (CDM).

Аннотация

Публичная спецификация (PAS) задаёт процедуру заряда устройств, проведение полевых CDM‑испытаний, требования к измерительному оборудованию и правила регистрации результатов для классификации чувствительности компонентов к ESD. Документ предназначен для унификации подходов к определению CDM‑порогов и повышения сопоставимости данных между лабораториями.

Общая информация

  • Статус: Заменён / отозван (withdrawn); впоследствии интегрирован в последующие международные стандарты по CDM‑испытаниям.
  • Дата публикации: 22 августа 2000 г. (Edition 1.0).
  • Организация-издатель: Международная электротехническая комиссия (IEC), Технический комитет TC 47 (Semiconductor devices).
  • ICS / категории: 31.080.01 (Semiconductor devices in general).
  • Редакция / версия: Edition 1.0 (2000).
  • Количество страниц: 7 страниц.

Область применения

Применяется для оценки порогов устойчивости к полевому CDM‑ESD всех типов упакованных полупроводниковых устройств, тонкоплёночных схем, поверхностно-акустических (SAW) устройств, оптоэлектронных компонентов, гибридных ИС и многомодульных сборок (MCM). Цель — обеспечить воспроизводимые и сопоставимые значения чувствительности CDM при тестировании на уровне устройства/корпуса.

Ключевые темы и требования

  • Методика полевого (field‑induced) CDM‑заряда и разряда для воспроизведения отказов, вызванных CDM.
  • Требования к оборудованию: CDM‑тестеры, элементы измерения тока/волновых форм, эталоны и измерительные осциллографы (в последующих стандартах требования к БW/семплингу подробно описаны).
  • Процедуры калибровки и периодической верификации тестирующих установок и записей волновых форм.
  • Условия испытаний (температура, влажность), обращение с устройствами и рекомендации по проведению тестов на уровне корпуса.
  • Критерии классификации чувствительности и рекомендации по документированию результатов и отчётности.

Применение и пользователи

Стандарт(спецификация) используется инженерами по надёжности и качеству в полупроводниковой промышленности, лабораториями испытаний ESD, производителями тестового оборудования и разработчиками упаковки. Применим при квалификации устройств, при приёмочных и исследовательских испытаниях, а также при сравнительном анализе уровней чувствительности CDM между поставщиками и партиями изделий.

Связанные стандарты

IEC PAS 62162:2000 планировалось переиздать в форме международного стандарта (указание на IEC 60748‑20 в материале исходной публикации), и фактически методика полевого CDM впоследствии была включена и расширена в стандартах серии IEC 60749‑28 (публикация 2017 г. и последующие редакции). В качестве основного преемника часто указывается IEC 60749‑28:2017 (и её более поздние редакции/корректировки).

Ключевые слова

CDM, field‑induced CDM, ESD, electrostatic discharge, порог стойкости, полупроводниковые устройства, тестирование, классификация чувствительности, IEC PAS 62162.

FAQ

В: Что это за стандарт?

О: Публичная спецификация IEC PAS 62162:2000 задаёт метод полевых (field‑induced) CDM‑испытаний для определения порогов стойкости микроэлектронных компонентов к электростатическому разряду.

В: Что он регулирует?

О: Методологию зарядки и разряда устройств по модели заряженного устройства (CDM), требования к оборудованию и процедурам измерения/регистрации волновых форм, а также основы для классификации чувствительности устройств к CDM‑ESD.

В: Кто обычно использует?

О: Производители полупроводников, лаборатории по тестированию ESD, специалисты по надежности и контролю качества, разработчики упаковки и производители тестового оборудования.

В: Он актуален или заменён?

О: IEC PAS 62162:2000 официально отозван/заменён; его методология была перенесена и расширена в последующих международных стандартах по CDM, в частности в IEC 60749‑28:2017 и более поздних редакциях. Дата отзыва PAS — 28 марта 2017 г.; IEC 60749‑28:2017 опубликован 28 марта 2017 г. (позже также имелись обновления/замены).

В: Это часть серии?

О: Да — PAS была частью работ TC 47 по полупроводниковым устройствам и связана с серией стандартов по механическим, климатическим и ESD‑методам испытаний (серии IEC 60748, IEC 60749 и т.д.).

В: Какие ключевые слова?

О: CDM; field‑induced; ESD; electrostatic discharge; полупроводниковые устройства; тестирование на уровне устройства; пороговая стойкость; классификация чувствительности.