STM PDF

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 7- Биполярные транзисторы - Раздел второй- Форма частных технических условий для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для усиления низкой частоты. CEI/IEC 60747-7-2:1989. Оригинальный стандарт IEC 60747-7-2-1989 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Withdrawn

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 7- Биполярные транзисторы. IEC 60747-7:2010-12+AMD1:2019-09 CSV(en-fr). Оригинальный стандарт IEC 60747-7-2019 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Действующий

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 7- Биполярные транзисторы - Раздел третий- Форма частных технических условий биполярных транзисторов для коммутационных приложений. CEI/IEC 747-7-3:1991. Оригинальный стандарт IEC 60747-7-3-1991 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Withdrawn

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 7- Биполярные транзисторы - Раздел четвертый- Форма частных технических условий корпусных биполярных транзисторов для высокочастотного усиления. CEI/IEC 747-7-4:1991. Оригинальный стандарт IEC 60747-7-4-1991 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Withdrawn

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 7-5- Биполярные транзисторы для приложений переключения мощности. IEC 60747-7-5:2005. Оригинальный стандарт IEC 60747-7-5-2005 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Заменен Ст IEC 60747-7-2019

Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства - Часть 8- Полевые транзисторы - Раздел первый- Форма частных технических условий для однозатворных полевых транзисторов до 5 W и 1 GHz. CEI/IEC 60747-8-1:1987. Оригинальный стандарт IEC 60747-8-1-1987 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу

Статус: Withdrawn