IEC 63068-5-2026 PDF
Название на английском:
St IEC 63068-5-2026
Название на русском:
Ст IEC 63068-5-2026
Описание на русском:
Полупроводниковые приборы. Критерии неразрушающего распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных пластинах карбида кремния для силовых приборов. Часть 5. Метод контроля дефектов с помощью рентгеновской топографии. Оригинальный стандарт IEC 63068-5-2026 в PDF полная версия. Дополнительная инфо + превью по запросу
Описание на английском:
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 5- Test method for defects using X-ray topography. Original standard IEC 63068-5-2026 in PDF full version. Additional info + preview on request
Статус документа:
Действующий
Формат:
Электронный (PDF)
Количество страниц:
36
Срок поставки (английская версия):
1 рабочий день
Срок поставки (русская версия):
3 рабочих дня(ей)
Артикул (SKU):
stiec13689
More technical details are being prepared for this document.